LME49830基板の回路

回路は、ほぼテキサス・インスツルメンツの参考回路通りですが、部品の入手性などから若干変更しています。
【LME49830基板の回路】（画像をクリックすると大きな写真になります）

基板の回路は太線で囲まれた部分で、右にあるFETは基板には付きません。
このFETは、最終段のパワーMOSFETで、アンプケースの放熱板に取り付けてください。 また、回路図中の トランジスタQ1は そのFETのどちらか1個に熱結合させてください。
※TI社のマニュアルには、熱結合が必要とは書いてありません。
また 実際に作ってみると、MOSFETと放熱板の熱抵抗が低い場合には、このトランジスタとMOSFETは、熱結合しなくても安定して動作することも確認しています。
しかし、例えばTO-220パッケージなどの 熱抵抗が大きいMOSFETを使うとバイアス電流がかなり変化し、不安定になります。
また、TO-3PやTO-247ACなど 熱抵抗が低いパッケージでも、放熱板が小さいなどの場合は熱結合しないと、バイアス電流が安定してくれません。

熱結合は そのために必要ですので、TI社のマニュアルには書いてませんが、熱結合された方が良いと考えます。

Q1は、基板に実装するのでは無く、電線で伸ばして パワーMOSFETにネジ止めしてください。

また、太線で囲まれた部分の「OUT」と書かれているパッドは、スピーカー出力になります。
回路図中に Zobelフィルタなどは書かれていませんが、お客様の方で 必要に応じて付けてください。