バイアス電流の調整方法
FETに流れるバイアス電流の調整方法
回路図をご覧ください。
■電源を入れない状態で、
回路図にある 半固定抵抗VR1を反時計方向 に回し切ります。
■回しきったら、電源を入れてください。
この時、ヒューズが切れたり、発煙があればすぐにスイッチを切り 基板のハンダ付けの状態など再度確認してください。
※どうしても判らないようであれば、当方に連絡してください。
■異常が無ければ、デジタル・テスターで、基板の「TP1」−「TP2」間 又は「TP2」−「TP3」間の 電圧を測定しながら
ゆっくり、時計方向に半固定抵抗VR1を回してください。
■FETのソース抵抗は0.1Ωですので、バイアス電流１00mAの時は 10mV、
200mAの時は 20mVの電圧降下がありますので、希望するバイアス電流になるまでVR1で調整してください。
私見ですが、100mAくらいで十分な音質になるようです。
バイアス電流は、FETの温度によって若干変動します。つまりFETや放熱板の熱抵抗や、取り付け具合によって変わります。
TO-220の様な小型のFETなどは放熱板との熱抵抗が高いので、かなり変動します。
■調整し終わった後も、テスターは そのままにして しばらく電流（TP間に電圧）をモニターし、温度が上がっても電流値が大きく変動しないことを確認してください。